半導體先進技術

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新工藝

【一次傳質】工藝采用多孔石墨筒的新式坩堝設計，將源料置于坩堝壁與多孔石墨筒之間，同時加深整個坩堝以及增加坩堝直徑，裝料量增加的同時，增加了源料的蒸發面積。該工藝解決了由于源料表面隨著生長的進行，源料上部重結晶，影響升華的物質通量，所產生晶體缺陷的問題。新工藝降低了源料區溫度分布對晶體生長的敏感度，傳質效率提高且穩定，生長后期降低碳包裹物的影響。【一次傳質】可以采用不粘籽晶的無籽晶托固定方式，自由熱膨脹，利于應力釋放。【一次傳質】工藝優化了熱場，極大地提高了擴徑的效率。

注：【新工藝】是指【一次傳質】工藝

軸徑分離技術

【軸徑分離】技術應用于電阻式長晶爐徹底解決軸徑方向上的溫度耦合現象。調整軸向溫度梯度，提升晶體生長速度，徑向溫度梯度也隨之發生改變，從而導致晶體生長界面的凹凸變化、應力增加，使得晶體缺陷增加。
電阻式長晶爐通過不同區域的電阻發熱，達到籽晶區域和源料區域的溫度分別控制，達到軸向溫度梯度與徑向溫度梯度分離，從而穩定晶體生長面型的同時能夠大幅度提高晶體生長速度。

溫度閉環控制

該技術解決了在>2000°C以上高溫的環境下對溫度進行精確的測量及控制。當高溫時，通常的熱電偶易損壞且會產生偏差，需要采用紅外測溫。但在高溫環境下，設備的內部件及加工的材料產生的揮發物，容易造成紅外測溫數據失真，產生較大的測量數據波動與偏差。碳化硅晶體生長時，揮發的碳化硅等蒸氣會污染紅外的測溫通道，使紅外測溫無法在整個晶體生長周期保證準確，所以行業上通常都是采用功率控制，溫度檢測只為輔助參考。
本技術采用內外空間分離的測溫方式，實現在極高溫度環境下對溫度的精準測量和控制，從而實現晶體生長全周期采用溫度閉環控制，提高產品的良率及生產穩定性。

高精度壓力控制

長晶壓力的穩定性是影響晶體生長的可控核心關鍵參數之一。壓力會影響SiC粉升華過程中的氣相組分、氣流均勻性以及晶體生長的速度。壓力的波動會引發SiC晶體的宏觀和微觀缺陷的產生，特別是高失重率，低壓生長場景。
壓力控制越精確，生長的晶體缺陷越少。現有技術的壓力波動一般控制在±3Pa。公司研發的壓力傳感器和控制閥門及配套的自適應算法，可將壓力穩定控制在±0.3Pa（設定壓力在100-500Pa間）。

雙線圈技術

該技術解決了在晶體生長過程中，傳統的單線圈感應加熱不能對上下溫區進行單獨控制，容易造成溫度梯度分布不均，影響晶體生長的質量和速度。雙線圈技術通過對兩個線圈單獨控制，可以實現對源料區和籽晶區的溫度單獨控制。更好地控制晶體生長時的軸向溫度梯度，加快晶體生長速率。當籽晶生長結束后，也可以通過籽晶區的線圈單獨對生長結束的晶體進行退火處理，減小晶體內部的應力，提高晶體質量。

半軸徑分離技術

半軸徑分離技術是在坩堝上方增加一個熱門，通過旋轉隔熱屏，實現散熱面積的變化，能有效調節溫度梯度。
在晶體生長中，隨著生長界面下移，通過增加熱屏開度使散熱通量增加，在不需線圈運動情況下，使溫度梯度保持在晶體生長所需范圍內，且對徑向溫度梯度有一定影響，當晶體生長結束降溫過程中，隔熱屏關閉至最小開度，大大降低散熱面積，使生長結束的晶體在較小的溫度梯度，提升SIC晶體的質量。

自動化技術

取代人工搬運物料，信息智能交互，實現數字智能化工廠

• 自動完成進料及出料；
• 料車自動平整定位，對地面平整度沒有要求；
• AGV+料車組合模式；
• 有紋理導航、激光導航小車選擇。

注：即將推出